CVD金剛石的外觀、成分與天然金剛石幾乎一樣，物理、化學(xué)特性也沒(méi)有太大不同，在肉眼下，兩者看不出任何區(qū)別。不過(guò)CVD金剛石之所以受重視，最主要的原因就是“純”，它與天然金剛石相比更加地干凈，幾乎沒(méi)有任何雜質(zhì)。

半導(dǎo)體材料界的新星：CVD金剛石

極高的純度，使得CVD金剛石在應(yīng)用上比天然金剛石擁有更多的可能性——比如說(shuō)憑借優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)，金剛石材料目前已在半導(dǎo)體領(lǐng)域中獨(dú)占鰲頭。金剛石與c-BN（6.4eV）、Ga2O3（4.8eV）、AIN（4.eV）等材料禁帶寬度在5eV左右，同屬于當(dāng)前熱門的的超寬禁帶半導(dǎo)體材料。其中金剛石的禁帶寬度為5.47eV，是當(dāng)前單質(zhì)半導(dǎo)體材料中帶隙最寬的材料，其各項(xiàng)電學(xué)性質(zhì)極其優(yōu)異：

①極高的擊穿電場(chǎng)：高達(dá)109Vem-1，是礎(chǔ)化鎵材料的17倍，氮化鎵材料的2倍，碳化硅材料的2.5倍。

②飽和載流子速度：在飽和載流子速度方面金剛石是硅、砷化鎵的2.7倍，而且載流子速度比礎(chǔ)化鎵的峰值還要大，即在申場(chǎng)強(qiáng)度增加時(shí)也可維持其高的速率。

③載流子遷移率：金剛石的電子遷移率與空穴遷移率都優(yōu)于其它半導(dǎo)體材料，室溫下電子的遷移率為4500cm2/V·S，而硅僅為1500cm2/V·S，砷化鎵為8500cm2/V-S，氮化鎵低于1000cm2/V·S；金剛石空穴遷移率為3800cm2/V·S，而硅僅為600cm2/VS，砷化鎵為400cm2/V·S，氮化鎵為<50cm2/V·S，因而，金剛石可以制作高頻電子器件。

④低的介電常數(shù)：金剛石的介電常數(shù)為5.7，約為砷化鎵的二分之一，小于InP的一半，即在給定的頻率下，金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)越的容性負(fù)載，這為毫米波器件的設(shè)計(jì)提供了極大的方便。