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直流電弧等離子噴射法生產(chǎn)的CVD金剛石，是多晶結(jié)構(gòu)的純金剛石，不含任何金屬和非金屬粘結(jié)劑，具有高熱導(dǎo)性，適合對(duì)散熱要求較高程度的場(chǎng)合使用。

金剛石的熱學(xué)性質(zhì)表現(xiàn)于金剛石的熱導(dǎo)率極高，室溫下它的導(dǎo)熱率為1000~2000w/m.k，是銅材料的3~5倍，比目前使用的氮化鋁、Cu-W合金、氧化鋁、氧化鈹?shù)炔牧系臒釋?dǎo)率高很多，僅次于天然lla型和高壓合成的Ib高質(zhì)量單晶。且熱膨脹系數(shù)很小，又是非常好的絕緣材料，因此，CVD金剛石目前在高功率半導(dǎo)體熱管理中具有無可替代的優(yōu)勢(shì)，高功率激光二極管和MCMs(多芯片三維組裝技術(shù))是當(dāng)前CVD金剛石膜熱學(xué)應(yīng)用的兩個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域。

目前主要用作半導(dǎo)體功率器件的襯底熱沉片、電子封裝基片等，作為核心材料發(fā)揮散熱作用。